2017年2月美光提告指控,前整合部課長何建庭,2015年底跳槽聯電,竟然複製美光機密文件和檔案,前品質工程部副理王永銘2016年4月離職前,更濫用職權,讀取美光DRAM製造方法和技術,檔案多達931個,兩人帶著大量機密文件和聯電協理戎樂天研究,讓聯電和中國廠商晉華在短短2個月,順利開發出32奈米DRAM設計規劃。台中地檢署認為,聯電和被告3人違反《營業秘密法》等罪嫌,予以起訴。
歷時2年多審理,台中地院今天判處聯電協理戎樂天6年6月徒刑、併科罰金新台幣600萬元,何建廷5年6月、罰金500萬元,王永銘4年6月、罰金400萬元,3人犯罪所得沒收,聯電公司則判罰金1億元,全案可上訴。
(民視新聞網/綜合報導)