【鉅亨網記者楊伶雯 台北】
中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從3月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品，代表近兩年來中國極力發展記憶體產業，將開始進入新的里程碑。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主，月產能約為2萬片左右，在NAND Flash產業展現強大的企圖心。
不同於國際NAND Flash大廠，武漢新芯選擇與飛索半導體(Spansion)共同合作開發3D-NAND Flash技術，並在去年完成初期晶片電氣測試後，持續往更高的堆疊數邁進，目標2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash產品來切入高成長性的閃存存儲產業，也透過盡早導入新技術的方式，縮短與國際NAND Flash大廠的差距。
武漢新芯規劃的新廠產能?長期20萬片，產能的提升比需要伴隨未來技術開發的成熟，生產的穩定；20萬片?長期的最終計劃，不是短期能達成，比較明顯的產出提升應該在5~10年之後。
楊文得表示，英特爾大連廠自今年第4季加入生產行列的帶動下，來自中國生產的NAND Flash晶圓將占全球的8%，2017年第3季前可超過10%，顯示中國發展NAND Flash產業的積極度也讓國際大廠加速佈局角度。
目前NAND Flash產業除三星量產3D-NAND Flash，且已在各大PC-OEMs業者中獲得不錯的市占率，第三代3D-NAND Flash也將完成產品測試階段，可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產。
其他NAND Flash業者也陸續加速3D-NAND Flash的開發，自今年下半年將可開始導入相關固態硬碟的需求應用而出貨。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產業的3D-NAND Flash產出比重將可快速攀升至20%，較去年的6%有顯著成長，將可讓相關固態硬碟的普及與滲透率成長更加快速。
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