【鉅亨網記者尹慧中 台北】
聯電(2303-TW)(UMC-US)今(22)日宣佈將於新加坡12吋晶圓廠Fab 12i，打造為引領先進特殊技術研發製造的基地「Center of Excellence」。聯電指出，此特殊技術中心設立時的投入金額為1.1億美元(折現新台幣32.7億元)，將會與包括微電子研究院等新加坡本地研究機構進行研發合作，並將已開發之技術，包含背照式影像感測器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體、高壓應用產品，以及直通矽晶穿孔連結等，應用於車用、行動、智慧型手機與平板電腦等日益龐大的產品市場。另為強化特殊技術的研發，聯電預計今年內將於Fab 12i廠增加逾80名工程師。
聯電營運長陳文洋表示，很高興能夠進一步拓展聯電在新加坡的製造與研發投入。而聯電擁有這座專為先進特殊技術研發與製造基地所設計的12吋晶圓廠，將可促進這些技術的及時問世，並讓聯電充分掌握跨入新市場的契機。
他說明，聯電之所以選擇新加坡，在於新加坡可提供全力的支持、豐富的工程人力資源、以及完善的半導體產業架構。此外，新加坡健全的半導體產業環境，也將促成聯電未來與新加坡本地企業合作的機會。
新加坡經濟發展局電子產業司長顏志強則表示，聯電為全球頂尖晶圓廠之一，新加坡很榮幸聯電選擇在新加坡進行特殊技術的研發與製造。而聯電持續投資新加坡，反映了對於新加坡研發機構與優質人力深具信心，而在聯電開發未來尖端電子產品的同時，新加坡也將持續給予聯電支持。
Fab 12i廠是聯電唯一位於台灣以外的12吋晶圓廠，現有月產能為近45,000片，佔聯電12吋晶圓總產出的45%。Fab 12i廠近期在特殊技術上的成果，包括為不同客戶成功開發出的背照式影像感測器(BSI CMOS)，以及55奈米高效能eFlash cells。Fab 12i廠累積至今的投入金額約為36億美元，現有員工人數約為1,600名。
今日點閱排行：
