【鉅亨網編譯李業德 綜合外電】
《華爾街日報》周三 (3日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics Co.)(005930-KR) 和海力士 (SK Hynix Inc.)(000660-KR) 表示，雙方已簽署半導體專利交叉授權協議，以避免日後在相關技術上產生法律糾紛。
雙方並未公開宣布，此一協議生效期限將至何時。
海力士發言人指出，本次協議性質全面，涵蓋所有公司旗下半導體專利內容，專利項目超過 2.14 萬個。
三星並未透露公司擁有多少專利項目，然晶片業務第 1 季期間，占公司營運獲利 12.2％，其他業務包括製造手機、平板電腦和平板電視等等。
三星發布簡短聲明指出：「此半導體協議將有助於加速創新，讓有附加價值的產品開發線更加豐富。」
本月稍早，美國晶片設計授權商 Rambus Inc. (RMBS-US) 和海力士宣布，達成一項 5 年專利許可協議，海力士願意支付 2.4 億美元作為專利使用費。雙方同時協定撤銷所有專利訴訟糾紛。
三星股價收盤下挫 2.55％ 至 130.1 萬韓元；海力士股價則小跌 0.17％ 至 28,750 韓元。
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