晶圓代工廠聯華電子遭控與中國福建晉華共謀，竊取美國記憶體晶片大廠美光商業機密。美國司法部今發布新聞稿指出，聯華電子對竊取商業機密罪表示認罪，判處罰款6000萬美元（約17.2億台幣），以換取與美國政府合作協議，對共同被告的中國國有企業調查與起訴。聯電今也公告，承認侵害一項營業秘密，已與美司法部達成和解，同意支付該6000萬美元的罰金。
2017年2月美光（Micron）提告指控，前整合部課長何建庭，2015年底跳槽聯電，竟然複製美光機密文件和檔案，前品質工程部副理王永銘2016年4月離職前，更濫用職權，讀取美光DRAM製造方法和技術，檔案多達931個，兩人帶著大量機密文件和聯電協理戎樂天研究，讓聯電和中國廠商晉華在短短2個月，順利開發出32奈米DRAM設計規劃。
今年6月，台中地檢署認為，聯電和被告3人違反《營業秘密法》等罪嫌，予以起訴；聯電則遭判罰金1億元，全案可上訴。
美國司法部則於2018年11月起訴聯電，司法部次長羅森（Jeffrey Rosen）在今日新聞稿中表示，聯電竊取美國領導企業的商業機密，讓中國得以實現戰略目標，無需花費自己的時間或金錢就能獲得技術；這項起訴是司法部成功保護美國企業免受那些企圖欺騙和竊取技術企業的案例。
聯電今則公告，承認侵害一項營業秘密，違反聯邦營業秘密保護法案件。聯電已與司法部達成和解，和解協議內容業經北加州聯邦地方法院判決確定，同意支付美國政府6000萬美元罰金，並在3年自主管理的緩刑期間內與司法部合作。
不過，聯電說明，為了DRAM合作案公開招募工程師，不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電，並針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施，然而兩位參與DRAM合作案的台灣美光前員工，卻違反與聯電簽訂的僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。
聯電表示，當知悉上述情事時，立即採取必要措施以確認開發的製程技術不包含任何未經授權的資訊，合作協議中所提及的第一代DRAM製程技術在2018年9月依協議移轉給晉華，聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。
聯電強調，依據美國營業秘密保護法，即使員工在公司高層不知情之情況下違反公司政策，公司對於員工行為仍須負法律責任，因此聯電在和解協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。聯電將繼續落實並加強有關營業秘密保護與防免的政策與措施，並欣慰與美國政府達成協議，未來公司將持續在各領域提供具有競爭力的產品及服務。
（民視新聞網／綜合報導）
