香港2014年11月4日電 /美通社/ -- 全球領先的200mm純晶圓代工廠 -- 華虹半導體有限公司（「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」，股份代號：1347）擁有業界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction（超級結結構）MOSFET（SJNFET）工藝平台，可為日益增長的移動終端、4G網路、雲計算和 LED 照明等熱點應用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯製造平台。
隨著移動互聯網、綠色能源技術的發展，以及全球節能減排的趨勢，產品應用對電源系統提出更高的效率要求。作為開關電源，充電器/適配器不間斷電源和LED驅動等電源系統整流的核心器件，功率半導體是降低功耗、提高效率的關鍵。革命性的超級結結構器件應運而生，打破了傳統 MOSFET 器件的「矽極限」（導通電阻正比於擊穿電壓的2.4~2.6次方），在同樣的封裝條件下能夠實現更低的導通阻抗和更快的開關頻率。目前，這一技術主要由少數幾個國際產品大廠所掌握，華虹作為專業的200mm 純晶圓代工廠，创新性地推出了先進的 SJNFET 工藝平台，可以為廣大客戶提供業界一流的 SJNFET 產品製造服務。
憑藉10多年的功率器件技術優勢，華虹於2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了獨特的具有自主智慧財產權的溝槽型 SJNFET 工藝平台，可以支援500V~900V不同電壓等級的產品生產。與傳統的多層外延型 SJNFET 工藝相比，溝槽型結構具有光刻層次少、結構簡單、高溫特性好、製造週期短和性能提升潛力大等優點。同時，華虹在北美有超過10個，中國內地超過100個的 SJNFET 相關專利授權，可以為客戶提供平台化代工服務，極大地縮短客戶產品 time-to-market 的時間。
多家客戶基於華虹平台設計的 SJNFET 產品展現出優異性能，並於2011年實現量產。在此基礎上，華虹於2012年底又成功推出第二代 SJNFET 工藝平台，與第一代產品相比導通電阻降低了30%（單位面積導通電阻1.8 ohm.mm2），達到業界一流水準，並且擁有更快的開關速度、更低的開關損耗、更小的晶片面積、更強的短路耐量和抗電磁干擾能力。到目前為止，華虹 SJNFET 工藝平台已有全球合作夥伴超過20家，工藝良率穩定在98%以上，為業界一線終端廠商提供可靠的高壓功率晶片。截至2014年八月，公司 SJNFET 平台出貨量已超過4萬片。
華虹將繼續發揮自身工藝和研發優勢，拟推出世界領先的第三代 SJNFET 工藝平台，進一步鞏固公司於功率分立器件領域的領先地位，協助客戶推出更具競爭力的產品，持續為世界製造綠色芯。
關於華虹半導體有限公司
華虹是全球具領先地位的200mm 純晶圓代工廠，主要專注於研發及製造專業應用的200mm 晶圓半導體，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術組合亦包括 RFCMOS、模擬及混合信號、CMOS 圖像傳感器、電源管理及 MEMS 等若干其他先進工藝技術。根據IBS的資料，按2013年銷售收入總額計算，集團是全球第二大200mm 純晶圓代工廠，亦是世界第六大純晶圓代工廠。集團生產的半導體被應用於不同市場（包括電子消費品、通訊、計算機及工業及汽車）的各種產品中。利用自身的專有工藝及技術，集團為多元化的客戶製造其設計規格的半導體。通過位於上海的三座晶圓廠，集團目前的200mm 晶圓加工能力在中國名列前茅，截至2014年6月30日的200mm 晶圓製造產能合計約為每月124,000片。同時，考慮到工藝的性能、成本及製造良率，集團亦提供設計支援服務，以便對複雜的設計進行優化。
華虹半導體有限公司現時主要業務透過位於上海的子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司（「華虹宏力」）開展。而華虹宏力由原上海華虹 NEC 電子有限公司和上海宏力半導體製造有限公司新設合併而成。
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