科技媒體《Wccftech》報導，南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）在高頻寬記憶體（HBM）市場成功翻轉頹勢，其最新一代HBM4模組傳出已獲輝達採用，並將率先搭載於即將上市的Vera Rubin AI平台，預計最快將於6月亮相。截至目前，三星與輝達均未對相關報導給予正式回應。
據韓媒披露，三星HBM4已在今年初通過輝達的資格驗證（qualification），不僅滿足輝達對速度與功耗的嚴苛要求，甚至在引腳速率（pin speed）方面超越業界標準，成為Rubin平台「指定記憶體」。
據悉，三星HBM4一大亮點在於其傳輸速度領先同業，單一pin速率可達11Gbps以上，高於JEDEC標準（負責為記憶體、積體電路（IC）封裝、品質與可靠度測試等領域訂立統一的規則），這項規格正是輝達為Rubin平台所要求的關鍵條件。Rubin作為輝達面向Agentic AI時代（具備自主決策與執行能力的AI）所打造的新一代架構，對記憶體頻寬與延遲的要求遠高於過往AI加速卡。
此外，三星HBM4採用自行生產的4nm邏輯基底晶片（logic base die），由自家晶圓廠直接供應，不需仰賴台積電代工，使其具備穩定交期與彈性供應優勢，這對已經進入全面量產階段的Vera Rubin至關重要。相較之下，SK海力士與美光則仍依賴外部供應商提供邏輯晶片，交貨節奏恐受影響。
事實上，僅在幾個季度前，三星HBM部門仍處於苦戰階段，由於產品功耗過高與散熱設計不合，曾遭輝達排除於主要供應鏈之外；但隨著HBM3E及HBM4的研發提速與封裝改進，三星重新贏得輝達信任。
根據最新供應鏈消息，三星將於2月開始量產HBM4，並於3月前後交付給輝達作為初期供貨，預計Rubin AI晶片將於8月起出貨至客戶，並有望在3月的「GTC 2026大會」完整展示Rubin系列與HBM4搭配的高效能組合。
輝達的Rubin平台被視為繼Hopper與Blackwell後，推動Agentic AI與邊緣AI計算的下一波主力產品。Rubin整合HBM4後，預期將提供超越當前H100與B100的效能，進一步擴大輝達在AI資料中心與企業大模型領域的技術領先優勢。
