中國長鑫儲存HBM3E先期試產 挑戰三星SK記憶體龍頭
商傳媒｜吳承岳／台北報導據外媒報導，中國最大動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫儲存（CXMT），已開始進行第五代高頻寬記憶體HBM3E的先期試產。這項發展預計將對目前由韓國三星與SK海力士主導的全球高頻寬記憶體（HBM）市場帶來新的競爭壓力。報導指出，長鑫儲存的HBM3E已進
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SK海力士響應美國本土化壓力 擬在美巨額投資HBM
商傳媒｜方承業／綜合外電報導南韓記憶體大廠SK海力士已於美國印第安納州西拉法葉（WestLafayette）動工興建其首座位於美國的半導體生產工廠。這座新廠將專注於先進封裝與後端製程，透過堆疊或整合多個晶片來提升半導體效能。SK海力士預計自2029年下半年起，該廠每年將量產數十萬片第七代H
SK海力士40億美元印第安納設廠動工 2030打造美HBM關鍵基地
商傳媒｜方承業／綜合外電報導南韓記憶體大廠SK海力士（SKHynix）執行長KwakNoh-Jung（KwakNoh-Jung）週四表示，印第安納州預計到2030年將成為該公司在美國高頻寬記憶體（HBM）的關鍵生產基地。SK海力士已於昨日舉行其位於印第安納州西拉法葉（WestLafa
AI記憶體技術分歧：三星強攻 PIM，SK海力士深耕 HBM
商傳媒｜責任編輯／綜合外電報導面對人工智慧（AI）運算需求日益增長，全球記憶體兩大巨頭三星電子與SK海力士，正採取截然不同的技術策略。三星電子押注「記憶體內運算」（PIM）技術，搶攻邊緣AI裝置市場，而SK海力士則專注於提升高頻寬記憶體（HBM）的性能，以鞏固其在高階AI伺服器領域的