中國長鑫儲存HBM3E先期試產 挑戰三星SK記憶體龍頭 商傳媒｜吳承岳／台北報導據外媒報導，中國最大動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫儲存（CXMT），已開始進行第五代高頻寬記憶體HBM3E的先期試產。這項發展預計將對目前由韓國三星與SK海力士主導的全球高頻寬記憶體（HBM）市場帶來新的競爭壓力。報導指出，長鑫儲存的HBM3E已進 財經 商傳媒 3小時前
