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長鑫存儲擴產DRAM的戰略目標是什麼？

理理財周刊MONEY WEEKLY 2026-07-09 15:41 📖 8 分鐘閱讀

文．洪寶山

據媒體於4月1日揭露大摩報告指出，DDR4供應緊張的情況已見緩解，對於高度暴露於DDR4的股票，大摩持謹慎態度的觀點。報告指出，兆易創新公布2026年度與長鑫存儲交易預算高達57.11億元人民幣，遠高於2025年的11.61億元，以及此前公布的2026上半年15.47億元預算。

DDR4供應緊張狀況逐步緩解

這筆增加的預算主要反映了晶圓價格上漲，同時也與2026年DDR4採購量呈雙位數增長趨勢一致。這也呼應了長鑫存儲先前的DDR4產能擴張計畫，顯示DDR4供應緊張狀況正在逐步緩解。

4月1日的南亞科股價收211元，已從1月30日的326.5元波段高點拉回-35.37%，可以視為提前反應長鑫存儲對DDR4的擴產利空。

後來南亞科迎了台積電出手助南亞科LPDDR5X成功打入NVIDIA Vera Rubin平台的利多，5月14日創353元波段新高，之後南亞科呈現三波漲勢，最高見到505元，過程遇到美光公布財報顯示毛利率突破80%的利多，以及HBM的缺貨與排擠效應讓記憶體產業已經擺脫景氣循環，成為AI基礎建設的戰略物資的趨勢展望。

長鑫存儲拚產能 估年底規模逼近美光

投資氛圍上，股民的普遍認知是記憶體缺貨缺很大，先進產能追不上需求，正常來說，歐美台韓大廠也不會去蓋新廠或大舉擴產毛利極低的成熟利基型記憶體，除了中國。

長鑫存儲2026年正以極快的速度拉升稼動率，預計到2026年底，長鑫存儲的DRAM月產能將衝上350,000片晶圓，已經逼近美光全球約385,000片的DRAM產能，讓長鑫存儲坐四望三。

當韓國大廠淡出DDR4 時，長鑫存儲正在籌備大規模IPO，擬募資近300億元人民幣，產能正在以驚人的速度增加，朝大型IDMs量級逼近，目標就是直接用極低的成本接管成熟的DDR4與DDR3市場。

長江存儲(以及其關聯的武漢新芯)主要鎖定3D NAND Flash以及低容量的SLC NAND/NOR Flash產能，面對美國禁令，在中國內需與利基型儲存市場大獲全勝，由於下游訂單極度火爆，武漢的第三座工廠(三廠)量產時程已從原本預計的2027年提前至2026年第三季到年底前正式投產，三廠初期月產能將爬坡至50,000片。

這意味著低容量的SLC NAND/NOR Flash的底層產能供應增加中，而且長江存儲計畫在三廠完工後再建兩座新廠，總計新增三座工廠，當這些工廠全面運轉後(預計 2027-2028年)，每座月產能高達10萬片，會讓長江存儲的總產能從現有的20萬片直接翻倍至50萬片。

未來將走向NAND+DRAM雙驅動

甚至近期供應鏈傳出，長江存儲的新廠預留了DRAM產能，且LPDDR樣品已送交客戶驗證，預計2026年底前會收到反饋，這意味著長江存儲未來將走向「NAND+DRAM」雙驅動。

南亞科現有的6萬片月產能，對比長鑫存儲預計在2026年底衝上的35萬片月產能，可以看出兩者在規模經濟上有著數倍的巨大差距。南亞科不與中國大廠正面對決標準型低階DDR4，而是透過引進戰略投資人(如Kioxia、Cisco、SK hynix旗下Solidigm等籌資新台幣787億元)，將策略全面轉向1B/1C製程的DDR5，以及不走常規HBM路線，專為AI運算引擎客製化的UltraWIO產品，藉此提高競爭力。

高階被鎖死 成熟製程產能開到爆

受到美國半導體禁令的限制，中國在先進製程與HBM的發展上受到極大阻礙。因此，中國晶圓代工與記憶體廠的國家戰略變成了：「既然高階被鎖死，那就把成熟製程產能開到爆。」這個戰略的核心邏輯，是把半導體成熟製程當作稀土或鋼鐵來操作。

對中國而言，這樣做有五大決定性的戰略好處：

(1)打造全球供應鏈的「反向瓶頸點」：全球超過90%的晶片需求(如汽車、醫療、工控、家電、電網，甚至飛機和坦克)，其實只需要28奈米以上的成熟製程。一旦中國在2027年前控制了全球近40%的成熟製程產能，未來只要地緣政治局勢緊張，中國只要稍微限制出口某些低階的PMIC或MCU，歐美的汽車廠、家電廠就會瞬間因缺料而集體停工。