因應AI晶片效能要求，傳輝達介入協調，促成三星與台積電罕見合作。

圖片來源/輝達

在AI晶片領域掌握絕對霸權的晶片巨頭輝達（NVIDIA）傳出正在重塑半導體全球供應鏈版圖，甚至促成兩大死敵罕見跨界合作。

韓國《首爾經濟日報》獨家報導指出，輝達為了確保下一代AI晶片所使用的「NVHBM」記憶體效能與規格完全統一，已要求三星電子（Samsung）打破過去從頭到尾一手包辦的「全自製」傳統，首度低頭改將最核心的基礎晶粒（Base Die）交由對手台積電（TSMC）以精準的3奈米製程代工。

這項顛覆產業生態的震撼消息，隨後也獲路透社等多家主流媒體高度關注。

輝達強推標準化降低驗證成本

報導指出，隨智慧型手機與雲端AI模型規模以驚人速度擴大，高頻寬記憶體（HBM）的資料傳輸速度已成為運算效能的致命瓶頸。

輝達為了加速下一代晶片的出貨時程、減少繁複的跨廠牌驗證程序，這次直接對三星、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）三大記憶體巨頭下通牒，要求全面統一採用台積電3奈米製程來打造底部的NVHBM基礎晶粒；至於核心記憶體堆疊晶粒，則由各廠各自採用第6代1c奈米級的DRAM製程。

 
基礎晶粒位於整個HBM堆疊的最底部，如同控制訊號傳輸的交通樞紐。

三星過去因擁有自己的晶圓代工部門，長期堅持不假他人之手；然而面對台積電在先進製程上近乎壟斷的極高良率與客戶信任，三星在輝達的強大商業壓力下，也不得不做出妥協，這也意味著雙方在晶圓代工領域一邊激烈競爭、一邊擴大戰略合作的「競合時代」正式來臨。

記憶體頻寬狂飆30%傲視業界

根據輝達先前公布的最新技術白皮書資料顯示，全新一代的NVHBM透過將記憶體控制器直接整合至基礎晶粒中，相較於過往標準的HBM4E架構，整體的記憶體頻寬最高可大幅提升達30%。

同時，整體HBM的運作耗電量最多能降低15%，並釋出更充裕的晶片表面積提供給核心GPU進行高效能運算。

 
業界分析師指出，三星雖然在客製化NVHBM上向台積電產能靠攏，但針對一般標準型HBM仍會維持自有的晶圓代工製造模式。

三星內部目前也正在評估，若未來全球AI需求出現爆炸性成長、導致台積電先進製程產能吃緊供不應求時，三星自家的晶圓代工部門將有機會承接後續的溢流生產訂單。

 
目前這項跨世紀合作主要來自於韓國半導體核心產業鏈的資深消息人士，實際的量產推進時程、合約簽署細節與具體的供貨份額，仍有待各家大廠進一步公開確認。
 
本報導所提供之科技產業動態、個股個案及市場分析資訊僅供參考，不代表任何金融商品之投資建議。
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