文．洪寶山

 

Qnity是2025年自杜邦分拆的電子材料公司，產品橫跨晶圓製造、先進封裝、高速互連、PCB及熱管理。在SEMICON Taiwan 2026大師論壇上指出，單顆晶片微縮已不足以滿足AI算力，AI晶片效能越來越取決於晶片之間怎麼連，不只是電晶體數量。

 

AI晶片從微縮走向3D堆疊

 

產業創新正從單純微縮，轉向微縮加堆疊，HBM、Chiplet、TSV、RDL、Hybrid Bonding都會拉高材料複雜度與單位價值。過去是晶片設計完成後，再找材料配合，但是材料會直接決定訊號損耗、散熱效率、晶片翹曲、微凸塊與混合鍵合良率、高頻高速傳輸、長時間運轉可靠度，因此不能等封裝架構確定後才挑材料。

 

Qnity已與輝達合作，利用加速運算與材料模擬，縮短材料開發時間，優化訊號完整性、可靠度及可製造性。這顯示AI晶片與材料共同設計已不是概念，而是開始進入研發流程。未來是GPU、ASIC、HBM、封裝架構與材料，從產品定義初期就共同設計。

 

最具代表性半導體材料台廠

 

AI晶片的材料含量與材料價值同時上升，而且規格升級速度可能快於晶圓出貨量成長。材料可能需要在晶片量產前二至四年介入。只要進入共同設計，後續替換材料可能導致製程參數重新調整、良率重新驗證、熱循環與壽命重測、客戶認證重來，因此合格材料廠的生命週期、毛利率及客戶黏著度，通常高於一般化學品供應商。台股最具代表性的半導體材料公司，為長興、新應材、台光電、台特化、中砂。

 

高階先進封裝材料量產 毛利率可達50%

 

長興的乾膜光阻可應用於PCB、HDI、IC基板及IC封裝的精密蝕刻與電鍍製程。8月26日法說會揭露的新研發方向中，先進構裝材料明確列入液態環氧封裝料、底部填充膠(Underfill)與矽光子封裝膠。針對AI與高速傳輸趨勢，投入感光聚醯亞胺材料(PSPI)、高頻高速及高導熱材料與液晶高分子(LCP)，朝半導體先進封裝與高階載板材料推進。

 

液態環氧封裝材料與先進封裝相關材料於2026年第一季開始小量供貨，第二季至第三季逐步拉高出貨量。內部規劃至2026年底單月營收占比推升至4%~5%，高階先進封裝材料量產毛利率預期可達50%左右的水準，顯著高於目前公司平均的24.8%。

 

六月完成發行20億元，以130.28%溢價發行，轉換價訂為75.7元，負債及權益拆分後大幅充實資本公積7.85億元。

 

由周邊材料跨入光阻劑

 

新應材的半導體材料占比約90%，過去市場主要把新應材定位為台積電先進製程微影材料供應商，最強的產品是Rinse表面改質劑，這項材料可降低先進製程微影圖案倒塌與缺陷，製程越先進、線寬越小，使用價值越高，因此它的營運動能同時受惠晶圓產能增加×先進製程占比提升×單片晶圓材料價值增加。

 

全球半導體微影光阻劑市場長年被日商(信越化學、JSR、東京應化TOK、住友化學等)掌握80%～90%以上市占。新應材的KrF光阻劑(248nm波長)進入客戶驗證末期，有機會在2026年底前後至2027年完成驗證並啟動小批量出貨，成為公司由周邊材料跨入光阻劑的第一個指標性量產品，配套的KrF BARC(底部抗反射層)同步處於驗證階段，提供微影製程的完整配方解決方案。

 

打造「前段微影＋後段先進封裝」材料平台

 

ArF光阻劑(193nm波長、ArF Dry &ArFi浸潤式)屬於深紫外線(DUV)高解析度微影的核心材料，技術門檻遠高於KrF，目前處於研發中階段，配套的ArF BARC亦在同步開發中，此產品線主要著眼於長期取代進口料源，鎖定台積電先進節點在多重曝光及關鍵層之需求。如果KrF與ArF光阻成功放量，將是台灣本土特化廠首次實現在半導體前段主光阻技術上的重大突破。

 

新應材以近二十年配方資料庫、高純化技術與ppt級雜質控制為核心，打造「前段微影＋後段先進封裝」材料平台。前段由思微(持股70%)研發關鍵分子，歐利得(持股40%普通股＋13.34%特別股)量產原料，新應材整合純化、配方與客戶驗證。

 

後段則結合昱鐳應材(持股25.08%)的高階CCL樹脂，以及新寶紘(持股26.87%)整合南寶的接著劑、信紘科的塗佈技術，布局SoIC、CPO與先進封裝膠帶。

 

由高速PCB延伸至HDI

 

台光電的核心競爭力是：(1)高速低損耗材料、低膨脹，(2)高可靠度材料，(3)HDI與mSAP細線路技術，在全球HDI材料市佔達70%，是日韓以外唯一擁有100%自主專利技術的mSAP及載板材料供應商，同時也是唯一在美設廠的亞洲CCL廠。

 

在9月4日法說會簡報特別強調，因應AI晶片高密度腳位與極高數據傳輸率，AI基礎設施設計趨勢，正在由傳統High Speed PCB延伸至HDI，這是共同設計最具想像空間的部分。

 

當GPU與HBM封裝面積、功耗及I/O密度持續提高，封裝外部的OAM、UBB與交換器PCB必須同步升級至更低損耗、更低CTE、更高密度與更多次壓合的材料。

 

透過M8、M8+及M9高速基材 降低板級訊號損耗

 

台光電真正的戰略位置，是透過M8、M8+及M9高速基材降低板級訊號損耗，利用Low-CTE與尺寸穩定材料控制大型封裝安裝到系統板後的熱機械失配，並以HDI、Any-layer及mSAP能力，縮短封裝與系統板之間的微縮落差，這使台光電有機會由傳統CCL供應商升級為平台早期材料協作夥伴。

 

從賣耗材 轉向幫客戶把CMP製程磨穩

 

過去是晶圓製程決定後，再挑一片能用的鑽石碟，未來則是在新製程開發初期，中砂就與晶圓廠、研磨墊、研磨液及CMP設備商一起調整鑽石碟。這將使中砂從賣耗材的角色，走向幫客戶把CMP製程磨穩，共同解決良率問題的製程夥伴。AI晶片從微縮走向3D堆疊，平坦化次數與難度提高，中砂單片晶圓的內容價值有機會上升。

 

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