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長鑫儲存4F²技術領跑業界 中國記憶體晶片告別追趕局面

商傳媒|責任編輯/綜合外電報導中國記憶體晶片製造商長鑫儲存(CXMT)近年在技術上取得顯著進展,其第六代製程技術平台已完成工程樣本驗證,並基於在4F²垂直通道動態隨機存取記憶體(DRAM)架構上的重大突破。這項發展讓外界推測,如果進展順利,長鑫儲存可能成為全球首家將採用4F²技術的產品推向市

財經 商傳媒 6小時前