商傳媒｜何映辰／台北報導

中國通訊巨擘華為近日揭露一項全新的半導體製造方法，旨在繞過美國對其先進晶片生產設備的出口管制，為全球科技產業投下震撼彈。《Qatar Tribune》報導，華為宣稱憑藉此項技術，有望在2031年前量產1.4奈米（nm）製程晶片。

自2019年起，美國實施的制裁措施，限制華為取得美國及其盟友製造的零組件與技術，其中包含製造最先進晶片所必需的微影設備。華府曾警告，華為的設備可能被中國政府用於間諜活動，但華為對此指控一概否認。

華為半導體部門主管何庭波（He Tingbo）表示，這項新技術的誕生，源於晶片製造思維的根本轉變。傳統上，晶片設計優化空間效率，遵循英特爾（Intel）共同創辦人高登·摩爾（Gordon Moore）提出的「摩爾定律」（Moore’s Law），即晶片上電晶體數量每兩年翻倍。然而，何庭波提出的「Tau 縮放定律」（Tau Scaling Law），或稱「何氏定律」（Her’s Law），則改為優化晶片內部各元件之間的通訊所需時間。

華為的公告暗示，此舉可能避開了對極紫外光（EUV）微影設備的需求。該設備過去被視為生產5奈米或以下先進製程晶片大規模量產的關鍵。何庭波指出，由於美國的制裁，華為「更早、更艱難地」面對這些挑戰。她強調：「我們的解決方案可行且負擔得起。新晶片的性能完全可與其他路徑的產品競爭。」

華為表示，其下一代麒麟（Kirin）晶片預計將於今年秋季推出，將是首款完全採用基於此新原理的「LogicFolding」架構設計。人工智慧（AI）系統訓練與運作所需的尖端晶片，是美國與中國科技競爭中至關重要且高度敏感的環節。華為此創新舉動，凸顯其在半導體領域尋求獨立發展的決心。