南亞科第三季自結財報亮眼，DRAM平均售價季增逾六成。圖片來源/南亞科

記憶體大廠南亞科（2408）12日收盤下跌5元，收在527元，跌幅0.94%。同日公布2026年第三季自結財報，受惠DRAM平均售價大幅上漲，單季營收達1,336.49億元，季增61.9%；稅後純益876.27億元，每股純益（EPS）25.4元，毛利率攀升至85.7%，獲利表現創新高。

DRAM售價季增逾六成 推升單季獲利

南亞科第三季DRAM平均售價較上季上漲超過六成，但銷售量季減中個位數百分比，仍帶動營業毛利達1,144.82億元，營業利益1,068.94億元，營業利益率升至80%。累計今年前三季，稅後純益達1,638.77億元，每股純益49.28元；截至9月底，每股淨值為118.99元。

南亞科說明，第三季價格大幅上揚，與部分舊有長期合約於6月底到期有關。相關訂單多在去年價格相對低檔時簽訂，7月起換入新一季合約價格後，反映當時市場行情，使第三季DRAM平均售價明顯走高。

供給短期難增 AI應用占營收逾兩成

展望第四季，南亞科表示，DRAM供應仍然吃緊，整體平均售價仍有上漲空間，毛利率也有機會進一步提高。由於新廠建置、設備交期及製程導入都需要時間，短期供給難以快速增加，客戶也開始要求延長合約期間；目前公司約有50%至70%的產能納入不同期限的長期合約，合約期間從3個月至3年不等。

AI基礎設施相關產品，包括伺服器、網路、儲存及系統管理，目前已占南亞科營收逾20%。公司指出，AI運算平台對高容量、高頻寬及客製化記憶體的需求增加，也使產能配置逐步轉向相關應用，手機、個人電腦及消費性電子等傳統產品供應則可能受到排擠。

新廠與先進封裝布局延伸至2028年後

產能規劃方面，南亞科林口新廠預計2027年第一季開始裝機，目標2028年底月投片量達3萬片，2030年底提高至5萬片；公司並規劃在屏東科學園區興建3D晶圓封裝與測試廠，布局矽穿孔（TSV）、晶圓堆疊及晶圓對晶圓混合鍵合等技術，預計2028年下半年開始投片。

製程方面，第三代10奈米級1C製程預計2027年第一季開始客戶驗證，1D、1E及EUV相關技術則持續開發。南亞科表示，未來產能擴充將以客戶長期合約及AI專案需求為主要考量。