輝達Rubin Ultra傳評估導入8層HBM4，三星、SK海力士預計2027年第二季擴大出貨，散熱與良率挑戰牽動晶片設計。圖片來源/三星

為確保下一代「猛獸級」AI加速器Rubin與Rubin Ultra的量產穩定性，外電報導指出，輝達（NVIDIA）已於2026年第三季與韓國兩大記憶體巨頭三星電子、SK海力士展開供應配置評估。雙方討論針對部分機櫃規模導入「8層堆疊（8-Hi）」的HBM4高頻寬記憶體，而非全面採用原以12層HBM4E為基準的頂規方案，以因應製程與散熱挑戰。雖然12層頂規方案仍可能持續供應，但據韓媒引述供應鏈消息，8層版本預計自2027年第二季起大幅拉高出貨比重，實際配置仍待確認。

產業分析指出，這場架構微調的核心關鍵在於「散熱」與「良率」。隨著堆疊層數越高，每增加一層DRAM晶片，散熱路徑、晶片接合與製程控制的難度也可能提高，導致12層高密度結構的熱管理更具挑戰。此外，較高的垂直堆疊結構也可能增加微間距接合缺陷的機率，進而影響生產良率。相比之下，8層堆疊雖然在單顆容量上做出部分務實妥協，但能提供較有利的散熱條件與更穩定的供貨節奏，成為輝達避開極限供應鏈風險的防禦性替代備案。至於頻寬表現，仍須視記憶體介面與傳輸速度等設計而定。

頂規產線良率拉警報

南韓媒體ZDNet Korea報導，三星電子與SK海力士並不會因此放棄利潤更高的12層HBM4與HBM4E生產。其中，據韓媒報導，三星12層產品已取得輝達相關品質認證；不過，全新的8層型號依然必須經過相應的驗證流程。供應鏈消息指出，兩大記憶體廠目前正積極調度物料進行品質封測，由於8層製程與封裝架構的物理複雜度相對較低，業界預期有助於降低驗證與量產難度，但實際進度仍待觀察。

除了高頻寬記憶體出現規格波動，輝達的處理器硬體核心同樣傳出架構調整風聲。先前外媒曾報導，Rubin Ultra GPU原先評估的四晶粒（Four-Die）封裝構想，因考量上游代工與先進封裝的製造難度，可能轉向相對保守的雙晶粒（Dual-Die）設計。不過，台灣供應鏈對相關架構變動已有不同解讀，實際設計與封裝配置仍須以輝達最終公布的產品規格為準。

台廠晶圓代工與先進封裝地位更顯核心

這波由記憶體製程與晶片設計帶來的連鎖策略微調，並未削弱台灣半導體產業在AI供應鏈中的重要性，反而進一步凸顯台廠在全球AI基礎建設中的戰略地位。市場分析認為，無論輝達最終採用8層、12層還是兩者混搭，第六代HBM4的重要技術轉變之一，在於底層的核心基礎晶粒（Base Die）開始導入更先進的邏輯製程。其中，SK海力士與台積電（2330）合作，採用12奈米級製程製造HBM4底層晶粒；三星標準HBM4則採用自家4奈米製程。另有韓媒報導指出，三星針對輝達下一代客製化高頻寬記憶體，也正規劃採用台積電先進製程，相關合作仍有待後續確認。

換言之，台積電除了在Rubin相關晶片代工與先進封裝領域扮演重要角色，也透過與部分記憶體廠合作，進一步參與HBM4底層晶粒供應鏈。由於Rubin Ultra機櫃系統需要整合高效能GPU、高頻寬記憶體與複雜散熱架構，晶片內部跨組件的系統整合難度持續升高。這使得台積電的CoWoS先進封裝技術，以及日月光投控（3711）等專業封測代工廠（OSAT）在晶片後段的異質整合、封裝測試與相關產能布局，成為支援Rubin Ultra未來商品化的重要供應鏈環節。

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